LeoMonteCrystal

        數值模擬基於改進的元胞自動機模型的蒙特卡羅實現。模擬晶體表面由二維矩陣表示，其中元素的值和位置限定分子在晶體表面上的3D位置。
基於熱活化反應模型計算接受或發射分子的相對概率，這取決於表面上每個分子的近周圍，其允許將表面能直接引入晶體生長模型中。
模型還允許計算由於在粗糙表面上堵塞瓶頸狀結構而形成的濃縮孔型缺陷。
單個實驗的參數可以輸入數據面板，靈活選擇使用喜歡的測量單位。

LeoMonteCrystal提供單位轉換器功能，允許使用各種單位系統中定義的初始參數，以滿足用戶習慣。
數據輸入面板立即顯示為競爭理論模型計算的速度晶體生長的理論值，以及最有價值的 - 使用我們針對給定的初始參數集進行研究的結果。
由我們的公式計算的生長速率，表面粗糙度和缺陷濃度的溫度依賴性顯示在單獨的圖表中。
在修改任何一個參數之後，所有可靠變量都相應地自動更新，從而提供熱力學和結晶學計算器的功能。
經常使用的一組參數，對應於感興趣的化合物，可以保存或導入到昏迷分隔文件中（MS Excel兼容）。
在模擬過程中的“結果”面板上，有一些圖表顯示時間線：晶體表面生長進度的距離，粗糙度，瞬時生長速率和類似缺陷的孔的濃度。
    

此版本中的新功能：

版本1.1：由我們的專有技術公式計算的生長速率，表面粗糙度和缺陷濃度的溫度依賴性顯示在單獨的圖表中。