LeoMonteCrystal 1.0.0.1
數值模擬基於改進的元胞自動機模型的蒙特卡羅實現。模擬晶體表面由二維矩陣表示，其中元素的值和位置限定分子在晶體表面上的3D位置。 基於熱活化反應模型計算接受或發射分子的相對概率，這取決於表面上每個分子的近周圍，其允許將表面能直接引入晶體生長模型中。 模型還允許計算由於在粗糙表面上堵塞瓶頸狀結構而形成的濃縮孔型缺陷。 單個實驗的參數可以輸入數據面板，靈活選擇使用喜歡的測量單位。...
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